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公司基本資料信息
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通過使用閃存驅(qū)動器來緩存“熱”數(shù)據(jù),并同時配備NL-SAS/SATA硬盤以實現(xiàn)高達48 TB2基于服務器的存儲容量,提高數(shù)據(jù)庫性能。
通過將NVMe驅(qū)動器和戴爾高速緩存解決方案相結(jié)合,提高OLTP應用程序的并行使用率和系統(tǒng)響應。
通過將傳統(tǒng)硬盤與固態(tài)閃存驅(qū)動器結(jié)合使用,確保數(shù)據(jù)在需要時出現(xiàn)在需要處,從而為IT即服務(XaaS)提供商、大數(shù)據(jù)(Hadoop)用戶和主機托管提供高效的高性能橫向擴展存儲。
存儲驅(qū)動器容量比前代產(chǎn)品擴大了33 %,因此支持更多更大的低成本郵箱。
內(nèi)存帶寬比前代產(chǎn)品增加了15 %,因此縮短了響應時間,另外借助戴爾精選網(wǎng)絡(luò)適配器的可自定義吞吐量,幫助提高了IO性能。
采用12 Gb PERC9 RAID控制器,使高速緩存和吞吐量都比前代產(chǎn)品提高了1倍,因此可增強Exchange整體性能。
通過直接將更多虛擬機映射到數(shù)量更多的物理處理器內(nèi)核,優(yōu)化了虛擬環(huán)境中的Lync性能和響應能力。
在的英特爾?至強?處理器E5-2600 v3產(chǎn)品系列中,每個插槽包含多達18個內(nèi)核,因此可提供足夠的周期和線程來支持當今虛擬環(huán)境中各種不同的工作負載(包括虛擬化的本地存儲)。為了進一步增強這些部署,R730xd中加入了以下特性:
DDR4 RAM:每個節(jié)點上可支持更多、更大且性能更高的虛擬機,而占用功率比前代DDR3 RAM降低了30 %
多模式RAID控制器:存儲帶寬是前代產(chǎn)品的兩倍
與軟件定義存儲(SDS)解決方案兼容:例如Microsoft Storage Spaces、VMware? Virtual SAN? (vSA